IMB1AT110


Купить IMB1AT110 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IMB1AT110 TRANS DUAL PNP 50V 100MA SOT-457 TRANS DUAL PNP 50V 100MA SOT-457
Версия для печати

Технические характеристики IMB1AT110

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor Type2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)22K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)22K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce56 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Power - Max300mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SC-74, SOT-457
КорпусSMT6
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IMB1AT110 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход