EMF22T2R
|
TRANS DUAL NPN/NPN EMT6 TR |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V, 12V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10K |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | 250MHz, 320MHz |
| Power - Max | 150mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | EMT6 |
| Корпус | EMT6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
 | SG-1501B Генератор Р С’Р Сљ / ЧМ / стерео ЧМ - РЎРѓР СвЂР  С–налов213444.00 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
 | 10TTS08 Р СћР СвЂР ЎР‚Р СвЂР ЎРѓРЎвЂљР С•РЎР‚ 10Р С’ 800Р В РІР‚в„ў РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
 | TC12-11YWA СветоРТвЂР В РЎвЂР  С•Р ТвЂР  Р…ая Р В РЎВатрРСвЂР ЎвЂ Р В° 5С…7 точек высотой 30.0 Р В РЎВР В РЎВ (1.2 Р В РўвЂР ЎР‹Р в„–Р СВР В Р’В°) РазРСВер РЎРѓР СвЂР В РЎВвола 30.00 Р В РЎВР В РЎВ. Р”РСвЂР  В°Р СВетр точкРц3 Р В РЎВР В РЎВ. Малый ток потребленРСвЂР РЋР РЏ. РЎРѕРІРСВестРСвЂР В РЎВый Р РЋР С“ ASICI... РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
