MUN5315DW1T1G

TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363

Версия для печати

Технические характеристики MUN5315DW1T1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification	Wire Change 08/Jun/2009
Transistor Type	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	160 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
Power - Max	250mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус	SOT-363

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MUN5315DW1T1G datasheet