NSB1706DMW5T1G


Купить NSB1706DMW5T1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NSB1706DMW5T1G TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT353 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT353
Версия для печати

Технические характеристики NSB1706DMW5T1G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Product Change NotificationWire Change 08/Jun/2009
Transistor Type2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)4.7K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)47K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Power - Max250mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSSOP (5 lead), SC-88A, SOT-353
КорпусSC-70
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


NSB1706DMW5T1G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход