NSBC144EPDP6T5G


NSBC144EPDP6T5G (заказ)
NSBC144EPDP6T5G

Технические характеристики NSBC144EPDP6T5G

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Transistor Type1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Resistor - Base (R1) (Ohms)47K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)47K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Power - Max339mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SOT-963
КорпусSOT-963
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru