NSBC114YDP6T5G


Купить NSBC114YDP6T5G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NSBC114YDP6T5G TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-963 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-963
Версия для печати

Технические характеристики NSBC114YDP6T5G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor Type2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)10K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)47K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Power - Max339mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SOT-963
КорпусSOT-963
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


NSBC114YDP6T5G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход