NSBA124EDXV6T1
|
TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 22K |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 22K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Power - Max | 500mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOT-563 |
| Корпус | SOT-563 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
 | MTS-112 A-2 РџСЂРµРТвЂР  ВµР В»РЎРЉР Р…РѕРµ напряженРСвЂР В Р’Вµ 1000 Р В РІР‚в„ў AC втеч 1 Р В РЎВР В РЎвЂР  Р… РџСЂРµРТвЂР  ВµР В»РЎРЉР Р…ый ток 6 Р С’ РїСЂРц125 Р В РІР‚в„ў Р С’Р РЋ 3 Р С’ РїСЂРц250 Р В РІР‚в„ў Р С’Р РЋ РЎРѕРїСЂРѕС‚РСвЂР  Р†Р В»Р ВµР Р…Р СвЂР В Р’Вµ Р В РЎвЂР  В·Р С•Р В»РЎРЏРЎвЂ Р СвЂР  С†1000 РњРћРѠmin 500 Р В РІР‚в„ў DР В Р Р‹ РЎРѕРїСЂРѕС‚РСвЂР  Р†Р В»Р ВµР Р…Р СвЂ... РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
 | ВВГНГ 5Р В РўС’1,5 (РћР–)-0.66 Кабель РїСЂРµРТвЂР  Р…азначен Р В РўвЂР  В»РЎРЏ переРТвЂР  В°РЎвЂЎР С†Р С†РЎР‚аспреРТвЂР  ВµР В»Р ВµР Р…Р СвЂР РЋР РЏ электрРСвЂР ЎвЂЎР ВµРЎРѓР С”РѕР№ энергРСвЂР  С†Р Р†РЎРѓРЎвЂљР В°РЎвЂ Р СвЂР  С•Р Р…арных установках Р РЋР С“ РЅРѕРСВР В РЎвЂР  Р…альныРѠпереРСВенныРѠнапряженРСвЂР  ВµР С 0,66 Р В РЎвЂР  В»Р С†1,0РєР’ С‡... 114.72 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
 | РљРЈ201Р С’ 8.80 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
