NSBC113EPDXV6T1
|
TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 1K |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 1K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Power - Max | 500mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOT-563 |
| Корпус | SOT-563 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
 | AD8031BRZ РћРЈ Р В Р’В±Р В РЎвЂВР С—Р В»., РІС…./вых. разРСВВах Р В Р’В Р СћРІР‚ВР С• С€РСвЂВР Р… Р С—Р СвЂВтанРСвЂВР РЋР РЏ, 80 МГц, 30 Р В РІР‚в„ў/Р В Р’В Р РЋР’ВРєСЃ, UРЎРѓР С = 0,5 Р В Р’В Р РЋР’ВР В РІР‚в„ў, 10 Р В Р’В Р РЋР’ВРєР’/°С, 15 РЅР’/VГц, IРІС… = 450 Р Р…Р С’, Iвых = 15 Р В Р’В Р РЋР’ВР В Р’В Р РЋРІР‚в„ў, IР С— = 0,75 Р В Р’В Р РЋР’ВР В Р’В Р РЋРІР‚в„ў, UР С— = 2,7...1... РљСѓРїРСвЂВть |
 | TBA12-22EGWA Двухцветная светоРТвЂВР В Р’В Р РЋРІР‚ВРѕРТвЂВная Р В Р’В Р РЋР’ВатрРСвЂВца 5С…7 точек высотой 30.0 Р В Р’В Р РЋР’ВР В Р’В Р РЋР’В (1.2 Р В Р’В Р СћРІР‚ВСЋР№РСВВР В Р’В°) РазРСВВер РЎРѓР СвЂВР В Р’В Р РЋР’Ввола 30.0 Р В Р’В Р РЋР’ВР В Р’В Р РЋР’В. Р”РСвЂВР°РСВВетр точкРц3 Р В Р’В Р РЋР’ВР В Р’В Р РЋР’В. Малый ток потребленРСвЂВР РЋР РЏ. РЎРѕРІРСВВестРСвЂВ... РљСѓРїРСвЂВть |
 | KPD-3224SYCK СветоРТвЂВР В Р’В Р РЋРІР‚ВРѕР҆3.2С…2.4Р В Р’В Р РЋР’ВРѠРІРєРѕСЂРїСѓСЃРµ Р В Р’В Р СћРІР‚Вля поверхностного Р В Р’В Р РЋР’Вонтажа Р РЋР С“ куполообразной Р»РСвЂВРЅР·РѕР№ Малое потребленРСвЂВР В Р’Вµ. Р В Р’ВВР В Р’В Р СћРІР‚Веален Р В Р’В Р СћРІР‚Вля РїРѕРТвЂВсветкРСвЂВ. Р В Р РѓР В РЎвЂВСЂРѕРєРСвЂВР в„– СѓРіРѕР» РѕР±Р·РѕСЂР°. До... РљСѓРїРСвЂВть |
