BCR 129S E6327
|
TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-363 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Power - Max | 250mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | PG-SOT363-6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
 | LA-100P 32 канала РазлРСвЂВчные режРСвЂВР В Р’В Р РЋР’ВР РЋРІР‚в„– СЃС…РµРСВВР РЋРІР‚в„– РЎРѓР СвЂВРЅС…СЂРѕРЅРСвЂВзацРСвЂВР В Р’В Р РЋРІР‚В: РїСЂРµРТвЂВзапуск, отложенный запуск, непрерывный запуск, РѕРТвЂВнократный запуск ВнешнРСвЂВР в„– (РЎРѓР СвЂВнхронный) Рцвнутр... 311472.00 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВть |
 | GFG-3015 Частотный Р В Р’В Р СћРІР‚ВР В Р’В Р РЋРІР‚Вапазон 10 Р В Р’В Р РЋР’ВГц… 15 МГц(8 Р В Р’В Р СћРІР‚ВР В Р’В Р РЋРІР‚Вапазонов); ФорРСВВР В Р’В° РЎРѓР СвЂВгнала: РЎРѓР СвЂВРЅСѓСЃ, Р В Р’В Р РЋР’ВеанРТвЂВРЎР‚, треугольнРСвЂВР С”, Р С—Р СвЂВла, Р В Р’В Р РЋРІР‚ВР В Р’В Р РЋР’Впульс; МаксРСвЂВР В Р’В Р РЋР’Вальное разрешенРСвЂВР В Р’Вµ 10 Р В Р’В Р РЋР’ВГц, погрешно... РљСѓРїРСвЂВть |
 | IRF7476PBF N-канальный полевой транзРСвЂВстор (Pb-Free Vds=12V, Id=15A@Vgs=4,5V, P=2.5W, -55 to +150C), Pb-free. РљСѓРїРСвЂВть |
