|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | PNP |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100µA, 5V |
Power - Max | 350mW |
Frequency - Transition | 40MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23 |
Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DSPB56374AE | FREESCALE SEMICONDUCTOR | |||||||
DSPB56374AE | FREESCALE SEMICONDUCTOR | |||||||
DSPB56374AE | ||||||||
LM5110-1M | NATIONAL SEMICONDUCTOR | |||||||
LM5110-1M | NSC | |||||||
LM5110-1M | 144.56 | |||||||
LM5110-1M | КИТАЙ | |||||||
LM5110-1M | NATIONAL SEMICONDUCTOR | |||||||
LM5110-1M | TEXAS INSTRUMENTS | |||||||
MMBT5551LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 140 | 1.60 | |||||
MMBT5551LT1G | ONS | |||||||
MMBT5551LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 5 108 | ||||||
MMBT5551LT1G | 320 | 1.05 | ||||||
MMBT5551LT1G | ON SEMICONDUCTO | |||||||
MMBT5551LT1G | ONSEMICONDUCTOR | |||||||
MMBT5551LT1G | SEMTECH | |||||||
SAE800 | Генератор одно-/двух-/трех-тонального сигнала (Vs=2.8-18V) | INFINEON | ||||||
SAE800 | Генератор одно-/двух-/трех-тонального сигнала (Vs=2.8-18V) | 529.24 | ||||||
SAE800 | Генератор одно-/двух-/трех-тонального сигнала (Vs=2.8-18V) | Infineon Technologies | ||||||
SAE800 | Генератор одно-/двух-/трех-тонального сигнала (Vs=2.8-18V) | АВСТРИЯ | ||||||
TPS73001DBVT | TEXAS INSTRUMENTS | |||||||
TPS73001DBVT | TEXAS | |||||||
TPS73001DBVT | 63.72 | |||||||
TPS73001DBVT | TEXAS INSTRUMENTS | |||||||
TPS73001DBVT | ТАИЛАНД | |||||||
TPS73001DBVT | TEXAS INSTRUMEN |
|