![]() |
|
Корпус | TO-92-3 |
Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Тип монтажа | Выводной |
Frequency - Transition | 100MHz |
Power - Max | 1W |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Transistor Type | NPN |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
BC635 NPN Silicon AF Transistors (High current gain High collector current) Также в этом файле: BC639
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
![]() |
КТ503Е |
![]() |
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный | 6 349 | 7.00 | ||
![]() |
![]() |
КТ503Е |
![]() |
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный | КРЕМНИЙ | 3 640 | 15.92 | |
![]() |
![]() |
КТ503Е |
![]() |
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный | АЛЕКСАНДРОВ |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
КТ503Е |
![]() |
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный | МИНСК | 8 862 | 16.00 | |
![]() |
![]() |
КТ503Е |
![]() |
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный | ТРАНЗИСТОР |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
КТ503Е |
![]() |
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный | БРЯНСК | 1 636 | 16.00 | |
![]() |
![]() |
КТ503Е |
![]() |
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный | RUS |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
КТ503Е |
![]() |
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный | ИНТЕГРАЛ | 91 | 13.77 |
|
Корзина
|