Версия для печати
Технические характеристики MPSA14

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)	1.2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 100µA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	20000 @ 100mA, 5V
Power - Max	625mW
Frequency - Transition	125MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		MPSA13		Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)	ALLEGRO
		MPSA13		Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)	FAIR
		MPSA13		Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)	MOTOROLA
		MPSA13		Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		MPSA13		Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)			38.80
		MPSA13		Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)	FAIRCHILD
		MPSA13		Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)	FAIRCHILD
		MPSA13		Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)	MOTOROLA
		MPSA13		Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)	Fairchild Semiconductor

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC5395-T12-F			MITSUBISHI
		2SC5395-T12-F			MITSUBISHI
		2SC5395-T12-F
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления			4.92
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS	5 564
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	ONS-FAIR
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ	9 634	2.32
		GBU808			Diodes Inc
		GBU808
		GBU808			YT
		GBU808			DIODES
		UC3846DWTRG4			Texas Instruments
		UCC3818ADG4			Texas Instruments
		UCC3818ADG4

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"