Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | PNP |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 5mA, 50mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
Power - Max | 1W |
Frequency - Transition | 15MHz |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Корпус | TO-39 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1.5SMC39CA |
|
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
1.5SMC39CA |
|
|
TSC
|
|
|
|
|
|
1.5SMC39CA |
|
|
|
|
47.68
|
|
|
|
1.5SMC39CA |
|
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
1.5SMC39CA |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1.5SMC39CA |
|
|
LTL
|
|
|
|
|
|
1.5SMC39CA |
|
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
1.5SMC39CA |
|
|
SUNMATE
|
1 424
|
11.25
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
|
10
|
83.25
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
MOT
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
NTE
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
ISC
|
913
|
17.52
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
|
24 622
|
1.36
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
DC COMPONENTS
|
24 116
|
1.05
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
БРЕСТ
|
3 273
|
1.05
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
HOTTECH
|
48 321
|
691.74
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
SEMTECH
|
1 976
|
1.59
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
БРЕСТ
|
147
|
1.05
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
|
759
|
4.80
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
GALAXY ME
|
3 556
|
1.52
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
EIC
|
1 044
|
1.90
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
HOTTECH
|
10 532
|
1.67
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
KOME
|
2 563
|
1.22
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
SUNTAN
|
7 108
|
1.21
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
RUME
|
20 000
|
627.10
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
NSC
|
266
|
71.82
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
16
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
Linear Technology
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
ФИНЛЯНДИЯ
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
|
|
48.44
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|