Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Transistor Type | NPN |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Power - Max | 330mW |
Frequency - Transition | 300MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | PG-SOT23-3 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
0805-47.0K 1% |
|
ЧИП — резистор
|
|
|
1.24
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
288 960
|
2.16
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
138 461
|
2.38
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
62 874
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
743 552
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
560
|
1.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
381 115
|
1.29
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
1
|
1.48
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
342
|
1.64
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
13 257
|
1.38
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.24
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
839 240
|
1.22
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
408 787
|
1.32
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
120 000
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
1 144 072
|
1.88
>100 шт. 0.94
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
31 904
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 910
|
1.60
|
|
|
|
L-132XID |
|
Единичный светодиод
|
KB
|
|
|
|
|
|
L-132XID |
|
Единичный светодиод
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
L-132XID |
|
Единичный светодиод
|
|
|
6.40
|
|
|
|
L-132XID |
|
Единичный светодиод
|
KGB
|
33 079
|
11.60
|
|
|
|
L-132XID |
|
Единичный светодиод
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L-132XID |
|
Единичный светодиод
|
KINGBRIGHT1
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
DIOTEC
|
86 464
|
1.50
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
|
85 600
|
1.14
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
FAIRCHILD
|
1 388
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
20
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
170
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
YJ
|
477 975
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
HOTTECH
|
37 348
|
1.68
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
YANGJIE
|
45 600
|
1.34
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
SEMTECH
|
24 496
|
1.87
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
JSCJ
|
120 602
|
1.39
|
|
|
|
TL081CN |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TL081CN |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
|
|
26.28
|
|
|
|
TL081CN |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TL081CN |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TL081CN |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TL081CN |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TL081CN |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|