2SB1188T100R
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 200mA, 2A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 500mA, 3V |
| Power - Max | 2W |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-243AA |
| Корпус | MPT3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
LQM18FN100M00D |
|
Murata Electronics North America |
|
|
||
|
|
|
LQM18FN100M00D |
|
MUR | 262 646 | 3.92 | ||
|
|
|
LQM18FN100M00D |
|
|
|
|||
|
|
|
LQM18FN100M00D |
|
MURATA | 11 372 | 5.81 | ||
| TEA1611T | NXP |
|
|
|||||
| TEA1611T |
|
|
||||||
| TEA1611T | 4-7 НЕДЕЛЬ | 54 |
|
