Версия для печати
Технические характеристики BD678A

Корпус	SOT-32-3
Корпус (размер)	TO-126-3
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	40W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	750 @ 2A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max)	500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	2.8V @ 40mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Current - Collector (Ic) (Max)	4A
Transistor Type	PNP - Darlington
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

BD670 (Биполярные транзисторы Дарлингтона) COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Также в этом файле: BD678A Производитель: STMicroelectronics //www.st.com BD678A datasheet 90.18Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD137G		NPN 60V 1,5A 8W B:40-250	ON SEMICONDUCTOR
		BD137G		NPN 60V 1,5A 8W B:40-250
		BD137G		NPN 60V 1,5A 8W B:40-250	ONS	735	62.44
		BD137G		NPN 60V 1,5A 8W B:40-250	CJ	392	11.74
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...			29.20
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	ST MICROELECTRONICS	1 764	40.51
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	ON Semiconductor
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	ST MICROELECTR
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	ST1
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	ST MICROELECTRO
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	FAIRCHILD
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	MULTICOMP
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	1
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	FAIR
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	FSC
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	Fairchild Optoelectronics Group
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	FAIRCHILD
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	США
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	FAIRCHILD	2 782
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	FCS
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	ON SEMI/FAIRCH
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	ONSEMICONDUCTOR
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	ONS	8 000	69.22
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	ONS-FAIR
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	ON SEMICONDUCTOR
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	LIT	1 240	15.88
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	LITE-ON	134	26.14
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	0.00
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	UMW	2 960	13.43
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	YOUTAI	12 801	13.69
		SN74HC595N		Стандартная логика 8-битный сдвиговый регистр CMOS, -40/+85 C	TEXAS INSTRUMENTS
		SN74HC595N		Стандартная логика 8-битный сдвиговый регистр CMOS, -40/+85 C		4	136.08
		SN74HC595N		Стандартная логика 8-битный сдвиговый регистр CMOS, -40/+85 C	TEXAS INSTRUMENTS
		SN74HC595N		Стандартная логика 8-битный сдвиговый регистр CMOS, -40/+85 C	TEXAS	538	54.45
		SN74HC595N		Стандартная логика 8-битный сдвиговый регистр CMOS, -40/+85 C	TEXAS INSTRUMEN
		SN74HC595N		Стандартная логика 8-битный сдвиговый регистр CMOS, -40/+85 C	4-7 НЕДЕЛЬ	519
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		2 057	33.30
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	1 805	31.87
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	1 920	37.80
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"