BUL310

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BUL310	1	115.64

Версия для печати

Технические характеристики BUL310

Корпус	TO-220AB
Корпус (размер)	TO-220-3
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	75W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	6 @ 3A, 2.5V
Current - Collector Cutoff (Max)	250µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.1V @ 600mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	500V
Current - Collector (Ic) (Max)	5A
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BUL310 (Высоковольтные биполярные транзисторы)

High Voltage Fast-switching NPN Power Transistor, 1000V, 5A

Также в этом файле: BUL310PI

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

BUL310 datasheet
203.81Kb
6стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AN5512	TV кадpовая pазвеpтка	MATSUSHITA
AN5512	TV кадpовая pазвеpтка		1	207.68
AN5512	TV кадpовая pазвеpтка	MAT
AN5512	TV кадpовая pазвеpтка	PAN
AN5512	TV кадpовая pазвеpтка	СИНГАПУР
BU808DFH	Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST MICROELECTRONICS
BU808DFH	Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...			182.40
BU808DFH	Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
BU808DFH	Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST1
LC7522		SEMTECH
LC7522		SANYO	4	295.80
LC7522				171.24
TDA4865AJ	Микросхема кадровой развёртки вертикальное отклонение частота 200 Гц			223.40
TDA4865AJ	Микросхема кадровой развёртки вертикальное отклонение частота 200 Гц	NXP
К1235ЕН3БП				24.00
К1235ЕН3БП		МИНСК
К1235ЕН3БП		ИНТЕГРАЛ