MJD112G
|
TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| Power - Max | 1.75W |
| Frequency - Transition | 25MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | DPAK-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1206 10 КОМ 5% | UW |
|
|
|||||
| 1206 10 КОМ 5% | RCT |
|
|
|||||
| 1206 10 КОМ 5% | EXTRA | 3 984 |
1.00 >1000 шт. 0.20 |
|||||
| 1206 10 КОМ 5% | UWA |
|
|
|||||
| AT24C02B-PU |
|
Последовательная память EEPROM (256x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ... | ATMEL | 196 | 30.00 | |||
| AT24C02B-PU |
|
Последовательная память EEPROM (256x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ... |
|
|
||||
| AT24C02B-PU |
|
Последовательная память EEPROM (256x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ... | КОРЕЯ РЕСПУБЛИК |
|
|
|||
 |
 |
MJD117G |
|
ON Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
MJD117G |
|
ONS | 12 | 46.63 | ||
|
|
|
MJD117G |
|
|
|
|||
 |
|
S1BB-13 |
|
Diodes Inc |
|
|
||
|
|
|
S1BB-13 |
|
DIODES INC. | 6 000 |
|
