|
Корпус | TO-126B-A1 |
Корпус (размер) | TO-126-3 |
Тип монтажа | Выводной |
Frequency - Transition | 300MHz |
Power - Max | 4W |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 100mA, 5V |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 15mA, 150mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Transistor Type | NPN |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
2SC3611 (Мощные биполярные транзисторы) Silicon Npn Epitaxial Planar Type
Производитель:
|
DB-50F Розетка Р В РўвЂР  В»РЎРЏ пайкРцРЅР° кабель Р  В¤Р С•РЎР‚Р СВР В Р’В° контактовпряРСВыеСпособ Р В РЎВонтажа пайка Р Р…Р В° кабель Р  С™Р С•Р В»Р СвЂР ЎвЂЎР ВµРЎРѓРЎвЂљР Р†Р С• СЂСЏРТвЂР  С•Р Р†3 (обыч. плотностРСвЂ)РљРѕР»РСвЂР ЎвЂЎР ВµРЎРѓРЎвЂљР Р†Р С• РєРѕРЅС‚... 94.32 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
BSP220 P-channel enhancement mode vertical d-mos transistor 20.71 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
AT29C020-15JI РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
|