BD679


Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)

Купить BD679 по цене 38.25 руб.  (без НДС 20%)
BD679
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
BD679 (ST MICROELECTRONICS) 400 38.25 
BD679 43 66.88 
BD679 43 66.88 

Версия для печати

Технические характеристики BD679

Current - Collector (Ic) (Max)4A
Transistor TypeNPN - Darlington
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max)500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce750 @ 1.5A, 3V
Power - Max40W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-126-3
КорпусSOT-32-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
КТ829Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный     1 480 15.84 
КТ829Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный   КРЕМНИЙ 80 81.60 
КТ829Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный   БРЯНСК 298 34.40 
КТ829Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный   ФРЯЗИНО 1 017 16.00 
КТ829Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ829Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный   ЭЛЕКТРОНПРИБОР 400 66.30 
КТ829Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный   КРЕМН Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ829Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный   ЭДЬТАВ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ829Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный   ЭЛЬТАВ 300 16.00 
КТ829Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный   УЛЬЯНОВСК 120 16.00 
КТ829Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный   КРЕМНИЙ ЭЛ 116 18.31 

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    UC3842-8       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    UC3843BD1R2G ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    UC3843BD1R2G ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    UC3843BD1R2G ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz   ON SEMICONDUCTOR 104 цена радиодетали
    UC3843BD1R2G ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz     Заказ радиодеталей цена радиодетали
  UC3844TN     ST MICROELECTRONICS 26 66.30 
  UC3844TN       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ЗАЖ.15EDGK-3,5-09P-1-4     DEN Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ЗАЖ.15EDGK-3,5-09P-1-4     DEGSON ELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ЗАЖ.15EDGK-3,5-09P-1-4     КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ЗАЖ.15EDGK-3,5-10P-1-4     DEN Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ЗАЖ.15EDGK-3,5-10P-1-4     DEGSON ELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ЗАЖ.15EDGK-3,5-10P-1-4     КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход