Корпус | SOT-23 |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Тип монтажа | Поверхностный |
Frequency - Transition | 200MHz |
Power - Max | 350mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Transistor Type | NPN |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
22МКФ 400 (13X20)105°C |
|
|
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
|
88 000
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
DC COMPONENTS
|
35 844
|
2.78
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
DIOTEC
|
2 247
|
1.72
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
FAIRCHILD
|
11 268
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
NXP
|
7 296
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
PHILIPS
|
2 720
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
37
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
HOTTECH
|
88 441
|
1.15
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
PANJIT
|
1
|
2.28
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
YOUTAI
|
5 439
|
1.82
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
YJ
|
114 317
|
1.36
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
JSCJ
|
110 608
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
UMW
|
960
|
1.97
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
CJ
|
1 472
|
1.60
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
19 873
|
2.00
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
623
|
1.75
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
30 216
|
2.10
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
1 324
|
1.43
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
24
|
10.82
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
104
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 920
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
2 593
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
21
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
39 442
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
30 933
|
1.02
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
36 000
|
1.36
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
493 871
|
1.97
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
99 564
|
1.47
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
52 288
|
1.45
|
|
|
|
TNY264P |
|
PDIP8
|
PI
|
|
|
|
|
|
TNY264P |
|
PDIP8
|
|
|
312.80
|
|
|
|
TNY264P |
|
PDIP8
|
Power Integrations
|
|
|
|
|
|
TNY264P |
|
PDIP8
|
POWER INTEGRATION
|
8
|
255.00
|
|
|
|
Y5E-560ПФ 3К (10%) |
|
|
|
|
|
|