Корпус | TO-220 |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Тип монтажа | Выводной |
Power - Max | 2W |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 3A, 4V |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 80mA, 8A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Product Change Notification | Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
ST MICROELECTRONICS
|
246
|
146.29
|
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
|
|
53.16
|
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
LGE
|
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
|
4 189
|
25.76
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
ФОТОН
|
13 258
|
31.50
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
АЛЕСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
|
1 640
|
12.88
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
КРЕМНИЙ
|
5 496
|
12.41
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ТРАНЗИСТОР
|
2 332
|
9.08
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
400
|
11.04
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
848
|
9.07
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
7 324
|
12.60
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ПРОХЛАДНЫЙ
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
8
|
6.66
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
|
862
|
30.18
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
КРЕМНИЙ
|
6 397
|
33.90
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
БРЯНСК
|
10 407
|
37.80
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|