|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
275 956
|
1.94
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
134 381
|
2.12
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
64 874
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
597 287
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
568
|
1.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
373 835
|
1.20
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
1
|
1.31
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
342
|
1.46
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
13 177
|
1.98
>100 шт. 0.99
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.13
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 214 312
|
1.09
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
312 637
|
1.12
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
120 000
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
942 678
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
29 344
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 870
|
1.60
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
|
79 527
|
1.21
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD
|
2 248
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
DI
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
256
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
PANJIT
|
1
|
2.68
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YJ
|
337 354
|
1.13
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
HOTTECH
|
115 700
|
1.79
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SIKOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
JSCJ
|
30 780
|
1.48
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YOUTAI
|
35 412
|
1.15
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SUNTAN
|
60 858
|
1.46
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
EVVO
|
4 703
|
1.07
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
|
10 888
|
1.30
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
FAIRCHILD
|
188
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
PHILIPS
|
164
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
NXP
|
139
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
YJ
|
255 444
|
1.27
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
YOUTAI
|
57 757
|
2.25
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
HOTTECH
|
14 411
|
1.87
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
UMW
|
11 200
|
1.97
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
SUNTAN
|
192
|
2.42
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
LGE
|
496
|
2.15
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
XSEMI
|
8 640
|
1.70
|
|
|
|
DEBB33A102KA2B |
|
Керамический конденсатор 1000 пФ 1 кВ
|
MUR
|
|
|
|
|
|
DEBB33A102KA2B |
|
Керамический конденсатор 1000 пФ 1 кВ
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
DEBB33A102KA2B |
|
Керамический конденсатор 1000 пФ 1 кВ
|
|
|
|
|
|
|
DEBB33A102KA2B |
|
Керамический конденсатор 1000 пФ 1 кВ
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
TDA1515BQ |
|
УHЧ 2x12W, 24W BTL (14.4V/4 Ом)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
TDA1515BQ |
|
УHЧ 2x12W, 24W BTL (14.4V/4 Ом)
|
|
1
|
108.00
|
|
|
|
TDA1515BQ |
|
УHЧ 2x12W, 24W BTL (14.4V/4 Ом)
|
TAIWAN
|
|
|
|
|
|
TDA1515BQ |
|
УHЧ 2x12W, 24W BTL (14.4V/4 Ом)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
TDA1515BQ |
|
УHЧ 2x12W, 24W BTL (14.4V/4 Ом)
|
PH / NXP
|
|
|
|
|
|
TDA1515BQ |
|
УHЧ 2x12W, 24W BTL (14.4V/4 Ом)
|
PH/NXP
|
|
|
|
|
|
TDA1515BQ |
|
УHЧ 2x12W, 24W BTL (14.4V/4 Ом)
|
1
|
|
|
|