MJ2501
Транзистор биполярный большой мощности
|
|
Версия для печати
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10A |
| Transistor Type | PNP - Darlington |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 50mA, 10A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 3V |
| Power - Max | 150W |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | TO-204AA, TO-3 (2 Leads + case) |
| Корпус | TO-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
MJ2501 Complementary Silicon Power Darlington Transistors
Производитель:
|
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | КРЕМНИЙ | 114 | 1 147.50 | |
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | 3 | 880.00 | ||
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | БРЯНСК | 234 | 1 250.00 | |
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | СИТ |
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | RUS |
|
|
