|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5192 |
|
Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N5192 |
|
Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32
|
|
|
|
|
|
|
2N5192 |
|
Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N5192 |
|
Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
|
17
|
42.00
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
PILIPINES
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHANGJIANG
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
12 012
|
11.08
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
JSCJ
|
1
|
8.65
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИМОРТ
|
79
|
16.00
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
|
|
29.56
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
9
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
HOTTECH
|
148
|
12.24
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
JSCJ
|
2 960
|
8.31
|
|
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SD1710 |
|
Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц
|
|
3
|
171.60
|
|
|
|
2SD1710 |
|
Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
2SD1710 |
|
Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц
|
SAN
|
|
|
|
|
|
2SD1710 |
|
Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
2SD1710 |
|
Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2SD1710 |
|
Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
2SD2499 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
|
1
|
159.60
|
|
|
|
2SD2499 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
TOSHIBA
|
27
|
76.00
|
|
|
|
2SD2499 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SD2499 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SD2499 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
КТ819ГМ |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
КРЕМНИЙ
|
160
|
275.40
|
|
|
|
КТ819ГМ |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
|
152
|
210.00
|
|
|
|
КТ819ГМ |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
БРЯНСК
|
618
|
240.00
|
|
|
|
КТ819ГМ |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
ЭЛЕКТРОПРИБОР
|
|
|
|
|
|
КТ819ГМ |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
КТ819ГМ |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
|
2 451
|
26.40
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
КРЕМНИЙ
|
400
|
33.15
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
ОТСОС ПРИПОЯ ТИП 5 (30W) |
|
|
|
554
|
375.72
|
|