Версия для печати
Технические характеристики BC327

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	800mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 100mA, 1V
Power - Max	625mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	DC COMPONENTS
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	DIOTEC	8 802	2.50
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	OTHER
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	PHILIPS
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MOTOROLA
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	NTE ELECTRONICS, INC	56
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	KEC AMERICA (USD)
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт		23 200	1.64  >100 шт.   0.82
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	NTE
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	FAIRCHILD
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MOTOROLA	266	10.20
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	ИНТЕГРАЛ	80	12.35
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MULTICOMP
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	1
		2N4403		Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)	FAI/QTC
		2N4403		Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)	FAIR
		2N4403		Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)	MOTOROLA
		2N4403		Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N4403		Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)	ON SEMICONDUCTOR
		2N4403		Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)	TOSHIBA
		2N4403		Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)	DC COMPONENTS	6 530	3.59
		2N4403		Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)	FSC
		2N4403		Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)	SAMSUNG
		2N4403		Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)	UTC
		2N4403		Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)	DIOTEC
		2N4403		Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)	FAIRCHILD
		2N4403		Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)	FAIRCHILD
		2N4403		Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N4403		Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)	ON SEMICONDUCTOR
		2N4403		Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)	OTHER	582
		2N4403		Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)	SAMSUNG
		2N4403		Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)	TOSHIBA
		2N4403		Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)	MOTOROLA	567
		2N4403		Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)	КИТАЙ
		2N4403		Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)		13 880	2.27
		BC214			FAIR
		BC214			FAIRCHILD
		BC214			FAIRCHILD
		BC214			Fairchild Semiconductor

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4007			DC COMPONENTS	57 276	1.86
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			PANJIT
		1N4007			FSC
		1N4007			MCC
		1N4007			DIC
		1N4007			FAIR
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			MIC	248 266	1.40
		1N4007			DIOTEC	77 582	3.03
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			LD
		1N4007			JGD
		1N4007			MING SHUN
		1N4007			MS
		1N4007			QUAN-HONG
		1N4007			XR
		1N4007			GALAXY
		1N4007			COMPACT TECHNOLOGY
		1N4007			DC COMPONENTS
		1N4007			FAIRCHILD	288
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR	1
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			MASTER INSTRUMENT CORPORATION
		1N4007			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			PANJIT	307 692
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N4007			YANGJIE SEMICONDUCT
		1N4007			Fairchild Semiconductor
		1N4007			SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4007			MICROSEMI CORP
		1N4007			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4007			GD
		1N4007			JC
		1N4007			KINGTRONICS
		1N4007			YJ	259 038	1.44
		1N4007			DIODES INC.
		1N4007			MIG
		1N4007			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		1N4007			MOTOROLA
		1N4007			YJ ELE-NIC CORP
		1N4007			RECTIFIER
		1N4007			EXTRA COM-NTS
		1N4007			GALAXY ELECTRICAL
		1N4007			GEMBIRD
		1N4007			ТОМИЛИНО
		1N4007			EXTRA
		1N4007			КИТАЙ	800	6.44
		1N4007			DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4007			MD
		1N4007				169 395	1.72  >100 шт.   0.86
		1N4007			ONS-FAIR
		1N4007			ONS
		1N4007			ELZET
		1N4007			GALAXY ME
		1N4007			LGE	52 874	1.03
		1N4007			HOTTECH	167 559	2.07
		1N4007			KLS	4 720	3.10
		1N4007			YS
		1N4007			YANGJIE	9 600	1.55
		1N4007			YANGJIE (YJ)
		1N4007			MC
		1N4007			FAIRCHILD
		1N4007			WUXI XUYANG
		1N4007			KUU
		1N4007			CHINA	14 517	1.02
		1N4007			SUNRISETRON
		1N4007			UNKNOWN
		1N4007			BILIN
		1N4007			KEHE
		1N4007			1
		1N4007			BL
		1N4007			SUNTAN	79 116	1.99
		1N4007			TWGMC	71 440	1.50  >500 шт.   0.50
		1N4007			CTK
		1N4007			JUXING	125	2.30
		1N4007			ASEMI	17 231	1.18
		4503BE		6 инвертирующих буферов с третьим состоянием, DIP16	FAI/QTC
		4503BE		6 инвертирующих буферов с третьим состоянием, DIP16			57.36
		4503BE		6 инвертирующих буферов с третьим состоянием, DIP16	МАЛАЙЗИЯ
		4503BE		6 инвертирующих буферов с третьим состоянием, DIP16	TEXAS
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления			4.92
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS	5 564
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	ONS-FAIR
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ	9 610	2.41
		4014BE		Сдвиговый 8 рязрядный рагистр	FAI/QTC
		4014BE		Сдвиговый 8 рязрядный рагистр		3	51.60
		4014BE		Сдвиговый 8 рязрядный рагистр	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		4014BE		Сдвиговый 8 рязрядный рагистр	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		4014BE		Сдвиговый 8 рязрядный рагистр	1
		DIP32-W			HSUAN MAO
		DIP32-W					19.20

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"