![]() |
|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2K |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10K |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Frequency - Transition | 250MHz |
Power - Max | 200mW |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23-3 |
Product Change Notification | Encapsulate Change 15/May/2008 |
![]() | Р РЋР В 50-157ФВ РЎРѕРµРТвЂР В РЎвЂР  Р…Р СвЂР ЎвЂљР ВµР В»Р С†РЎвЂљР СвЂР  С—Р В° Р РЋР В -50 Р В РўвЂР  В»РЎРЏ СЃРѕРµРТвЂР В РЎвЂР  Р…енРСвЂР РЋР РЏ байонетныРѠРСвЂР  В»Р С†РЎР‚езьбовыРѠСЃРїРѕСЃРѕР±РѕРѠСЂР°РТвЂР В РЎвЂР  С•частотных трактовс волновыРѠСЃРѕРїСЂРѕС‚РСвЂР  Р†Р В»Р ВµР Р…Р СвЂР  ВµР С 50 РћРСВ. Р”РСвЂР  В°Р С—азон частот РѕС‚ 300... 147.20 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
![]() | Р В РЎв„ўР В Р’В 1157ЕН5Р С’ 5B. 100Р В РЎВР С’ 18.50 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
![]() | IRF6722MTR1PBF N-channel hexfet power mosfet РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
|
Корзина
|