DRDNB16W-7


Купить DRDNB16W-7 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
DRDNB16W-7 ARRAY NPN TRANS/SW DIODE SOT363 ARRAY NPN TRANS/SW DIODE SOT363
Версия для печати

Технические характеристики DRDNB16W-7

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Product Change NotificationWire Change 16/Sept/2008
Transistor TypeNPN - Pre-Biased + Diode
Current - Collector (Ic) (Max)600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)1K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce56 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Frequency - Transition200MHz
Power - Max200mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
КорпусSOT-363
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


DRDNB16W-7 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход