XP0NG8A00L


Купить XP0NG8A00L ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
XP0NG8A00L TRANS PNP WITH DIODE SMINI-6 TRANS PNP WITH DIODE SMINI-6
Версия для печати

Технические характеристики XP0NG8A00L

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypePNP - Pre-Biased + Diode
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)4.7K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)4.7K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Frequency - Transition80MHz
Power - Max150mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
КорпусSMINI6-G1
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


XP0NG8A00L datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход