DDTC114GE-7


Купить DDTC114GE-7 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
DDTC114GE-7 TRANS PREBIASED NPN 150MW SOT523 TRANS PREBIASED NPN 150MW SOT523
Версия для печати

Технические характеристики DDTC114GE-7

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Product Change NotificationEncapsulate Change 09/July/2007
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Frequency - Transition250MHz
Power - Max150mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SOT-523
КорпусSOT-523
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


DDTC114GE-7 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход