DDTB114TC-7-F
|
TRANS PNP 200MW R1/2 SOT23-3 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Product Change Notification | Encapsulate Change 15/May/2008 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Power - Max | 200mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
 | Р В РЎСџР В РЎв„ўР В РЎСљ61-Р—2-2-1-15-2 РњРѕРТвЂВВВульные кнопочные переключателРцРџРљРЅ61 ручного управленРСвЂВВВР РЋР РЏ РїСЂРµРТвЂВВВназначены Р В Р’В Р СћРІР‚ВВВля РєРѕРСВВВВР В Р’В Р РЋР’ВВВутацРСвЂВВВРццепей постоянного РцпереРСВВВВенного тока. КонструкцРСвЂВВВР РЋР РЏ переключател... 38.40 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВВВть |
 | AM2D-0507DZ DC/DC преобразователь Р В Р’В Р РЋР’ВВВощностью 2Р’С‚, РІС…РѕР҆5Р’В±10%, выхоР҆7.2Р В РІР‚в„ў Р’В±139Р В Р’В Р РЋР’ВВВР В Р’В Р РЋРІР‚в„ў. RР В Р’В Р РЋРІР‚ВВВР·РѕР». 1РєР’ РљСѓРїРСвЂВВВть |
