DTC115TMT2L
|
SMALL SIGNAL SURFACE-MT SILICON |
Версия для печати
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 100K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100µA, 1mA |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Power - Max | 150mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | VMT3 |
| Корпус | VMT3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
