DRA2L14Y0L


Купить DRA2L14Y0L ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
DRA2L14Y0L TRANS PNP W/RES 30V 100MA MINI3 TRANS PNP W/RES 30V 100MA MINI3
Версия для печати

Технические характеристики DRA2L14Y0L

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypePNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)30V
Resistor - Base (R1) (Ohms)10K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)47K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.2V @ 330µA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Power - Max200mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)Mini3-G3-B
КорпусMini3-G3-B
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


DRA2L14Y0L datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход