MMUN2232LT1

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MMUN2232LT1 (ON SEMICONDUCTOR.)	1 485	3-4 недели Цена по запросу

TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23

Версия для печати

Технические характеристики MMUN2232LT1

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Product Change Notification	Product Discontinuation 27/Jun/2007
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	4.7K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	4.7K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	15 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
Power - Max	246mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MMUN2232LT1 datasheet