Версия для печати
Технические характеристики L6562ADTR

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Mode	Discontinuous (Transition)
Частота переключения	1MHz
Current - Startup	30µA
Напряжение питания	10.5 V ~ 22.5 V
Рабочая температура	-25°C ~ 125°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Контроллеры фактора мощности (PFC)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SD1710		Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц		3	171.60
		2SD1710		Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц	SANYO
		2SD1710		Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц	SAN
		2SD1710		Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц	UNKNOWN
		2SD1710		Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц	NO TRADEMARK
		2SD1710		Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц	ISCSEMI
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	FAIR
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	SANYO
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	ST MICROELECTRONICS
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	SAN
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	STMicroelectronics
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	YJ
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	США
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	TSL
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS			282.56
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	PHILIPS	31	160.00
		BU808DFH		Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST MICROELECTRONICS
		BU808DFH		Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...			182.40
		BU808DFH		Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BU808DFH		Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST1
		TDA3629			PHILIPS
		TDA3629				158	227.04
		TDA3629			PHILIPS	238
		TDA7377		УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB	ST MICROELECTRONICS
		TDA7377		УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB			272.00
		TDA7377		УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TDA7377		УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB	ГЕРМАНИЯ
		TDA7377		УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB	ST1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"