TDA4863-2G
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Mode | Discontinuous Conduction (DCM) |
| Current - Startup | 20µA |
| Напряжение питания | 12.5 V ~ 20 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | PG-DSO-8 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 22МКФ 450 (16X25)105°C |
|
|
||||||
 |
 |
MCR100-6 |
|
Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA | ON SEMICONDUCTOR | 52 | 33.15 | |
|
|
|
MCR100-6 |
|
Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA |
|
19.48 | ||
|
|
|
MCR100-6 |
|
Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA | UTC |
|
|
|
|
|
|
MCR100-6 |
|
Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA | OTHER | 83 |
|
|
|
|
|
MCR100-6 |
|
Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA | ONS |
|
|
|
|
|
|
MCR100-6 |
|
Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA | CJ |
|
|
|
 |
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W |
|
552.00 | ||
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | Infineon Technologies |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | INFINEON TECH |
|
|
|
| UCC28060D | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| UCC28060D |
|
380.00 | ||||||
| UCC28060D | TEXAS |
|
|
|||||
| UCC28060D | 1 |
|
|
|||||
 |
|
YX360TRN |
|
Мультиметр стрелочный 1000В, 20МОм, 250мА |
|
700.00 |
