Версия для печати
Технические характеристики 2SJ377

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 2.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	22nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	630pF @ 10V
Power - Max	20W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	2-7B1B
Корпус	PW-MOLD

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	FAIR
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ST MICROELECTRONICS
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ON SEMICONDUCTOR
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	PHILIPS
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	UTC
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	NXP
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	FAIRCHILD	800	16.83
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	FAIRCHILD	332
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	NXP
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	PHILIPS
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	DC COMPONENTS	9 248	5.11
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	Fairchild Semiconductor
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	STMicroelectronics
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	MOTOROLA
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	КИТАЙ
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)		3	14.40
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ONS-FAIR
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ONS
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	1
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	КРЕМНИЙ	311	48.45
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В		518	31.50
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	БРЯНСК
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	МИНСК
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	RUS
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ИНТЕГРАЛ
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ТРАНЗИСТОР
		МЛТ-2-6,8 КОМ-5%				4 144	8.80
		МР20-2 ПР/2 К КОМПЛЕКТУ СБ-12А				13 600	5.10
		МР20-2 ПР/2 К КОМПЛЕКТУ СБ-12А				13 600	5.10
		МР20-2 СБ-12А ЧГ				11 600	5.10
		МР20-2 СБ-12А ЧГ				11 600	5.10

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"