IRF7752

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF7752		158.80

Версия для печати

Технические характеристики IRF7752

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	2 N-Channel (Dual)
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 4.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	861pF @ 25V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Корпус	8-TSSOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7752 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF7752 datasheet
141.4 Кб