Версия для печати
Технические характеристики FDA18N50

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	UniFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	265 mOhm @ 9.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	19A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2860pF @ 25V
Power - Max	239W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-3P-3, SC-65-3
Корпус	TO-3P

FDA18N50 (MOSFET) 500V N-Channel MOSFET Производитель: Fairchild Semiconductor FDA18N50 datasheet 732.4 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FGH60N60SMD			Fairchild Semiconductor
		FGH60N60SMD			FSC
		FGH60N60SMD				68	500.32
		FGH60N60SMD			FAIR
		FGH60N60SMD			FAIRCHILD
		FGH60N60SMD			ONS	1 056	375.63
		FGH60N60SMD			ONS-FAIR
		FGH60N60SMD			ON SEMICONDUCTOR
		FGH60N60SMD			ONSEMI	2	488.74
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	FAIR
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	FSC
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт			1 329.60
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	Fairchild Semiconductor
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	КИТАЙ
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	FAIRCHILD
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	ONS
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	ONS-FAIR
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	ON SEMICONDUCTOR
		IRFP460		N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP460		N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	VISHAY
		IRFP460		N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...			300.00
		IRFP460		N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	IXYS
		IRFP460		N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	Vishay/Siliconix
		IRFP460		N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	STMicroelectronics
		IRFP460		N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	КИТАЙ
		IRFP460		N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	INTERSIL
		IRFP460		N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	VBSEMI
		IRFP460		N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	JSMICRO
		IRG4PSC71UD		Транзистор IGBT модуль единичный (Vce=600V, Ic=85A@t=25C, Ic=60A@t=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRG4PSC71UD		Транзистор IGBT модуль единичный (Vce=600V, Ic=85A@t=25C, Ic=60A@t=100C, ...			1 165.08
		IRG4PSC71UD		Транзистор IGBT модуль единичный (Vce=600V, Ic=85A@t=25C, Ic=60A@t=100C, ...	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		IRG4PSC71UD		Транзистор IGBT модуль единичный (Vce=600V, Ic=85A@t=25C, Ic=60A@t=100C, ...	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		IRG4PSC71UD		Транзистор IGBT модуль единичный (Vce=600V, Ic=85A@t=25C, Ic=60A@t=100C, ...	INFINEON
		RJH60F5DPK			RENESAS
		RJH60F5DPK

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"