Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BSS123LT1G		Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2	ON SEMICONDUCTOR	367	7.35
		BSS123LT1G		Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2	ONS	17 740	6.75
		BSS123LT1G		Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
		BSS123LT1G		Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2	ON SEMICONDUCTOR	48
		BSS123LT1G		Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2	ONSEMICONDUCTOR
		BSS123LT1G		Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2	LRC
		IRLML0060TRPBF			INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML0060TRPBF			INTERNATIONAL RECTIFIER	84
		IRLML0060TRPBF			INFINEON	41 552	11.69
		IRLML0060TRPBF				6 160	8.27
		IRLML0060TRPBF			HOTTECH
		IRLML0060TRPBF			KLS
		IRLML0060TRPBF			TR
		IRLML0060TRPBF			TRR	8 800	6.20
		IT-1187U (4X4X1.5)
		IT-1187U (4X4X1.5)
		IT-1187U (4X4X1.5)			RUICHI
		SLF6045T-100M1R6-3PF			TDK	15 004	19.02
		SLF6045T-100M1R6-3PF
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц		1	13.62
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ДАЛЕКС	2 431	28.97
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	RUS
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ИНТЕГРАЛ	532	25.20

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"