BB133

Варикап 30В, 200нА, 460МГц, SOD-323

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
BB133	5	25.00
BB133 (PHILIPS.)	1 005	3-4 недели Цена по запросу
BB133 (SHIKUES)	6 583	2.92

Максимальное постоянное обратное напряжение,В 30
Емкость, пФ при напряжении 0.5В: 38…46;
Емкость, пФ при напряжении 28В: 2,2…2,6;
Iобр, макс, нА: 200;
Частота макс, МГц: 460;
Температурный диапазон, °С: -55…+125;
Корпус: SOD-323;

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BB133

VHF variable capacitance diode

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

BB133 datasheet
57.81Kb
8стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BB135	Варикап SOD323	PHILIPS
BB135	Варикап SOD323	NXP
BB135	Варикап SOD323		504	9.25
BB135	Варикап SOD323	PHILIPS
BB135	Варикап SOD323	PHILIPS SEMIC
BB135	Варикап SOD323	NXP
BB135	Варикап SOD323	1
BC847	маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	PHILIPS
BC847	маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	NXP	800	10.74
BC847	маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
BC847	маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	PHILIPS
BC847	маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	NXP	2 459
BC847	маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	CDIL
BC847	маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	SHIKUES	22 282	1.86 >100 шт. 0.93
BC847	маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	JSCJ	1 019 156	1.22
BF245C	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAI/QTC
BF245C	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAIR
BF245C	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	NXP
BF245C	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FSC
BF245C	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA			14.92
BF245C	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAIRCHILD
BF245C	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAIRCHILD
BF245C	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	Fairchild Semiconductor
BF245C	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	ЯПОНИЯ
BF245C	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FSC1
BFQ67	NPN Ft=8GHz 5mA10V300mW	PHILIPS
BFQ67	NPN Ft=8GHz 5mA10V300mW			30.00
BFQ67	NPN Ft=8GHz 5mA10V300mW	NXP
BFQ67	NPN Ft=8GHz 5mA10V300mW	NXP	159
BFQ67	NPN Ft=8GHz 5mA10V300mW	PHILIPS	176
BFQ67	NPN Ft=8GHz 5mA10V300mW	PHILIPS SEMIC
BFQ67	NPN Ft=8GHz 5mA10V300mW	VISHAY
TDA7050	УHЧ 2x75mW (4.5V/32 Ом), 1W BTL (4.5V/4 Ом)	NXP
TDA7050	УHЧ 2x75mW (4.5V/32 Ом), 1W BTL (4.5V/4 Ом)	PHILIPS	80	96.66
TDA7050	УHЧ 2x75mW (4.5V/32 Ом), 1W BTL (4.5V/4 Ом)		1	158.76
TDA7050	УHЧ 2x75mW (4.5V/32 Ом), 1W BTL (4.5V/4 Ом)	СИНГАПУР
TDA7050	УHЧ 2x75mW (4.5V/32 Ом), 1W BTL (4.5V/4 Ом)	1

BB133

Варикап 30В, 200нА, 460МГц, SOD-323

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Диоды

С этим товаром покупают: