ICM7555IBAZ

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
ICM7555IBAZ		51.60
ICM7555IBAZ (RENESAS)	683	51.53

Версия для печати

Технические характеристики ICM7555IBAZ

Тип монтажа	Поверхностный
Корпус	8-SOIC
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-25°C ~ 85°C
Ток выходной	60µA
Напряжение питания	2 V ~ 18 V
Частота	1MHz
Тип	555 Type, Timer/Oscillator (Single)
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequency	1MHz

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2N2907	Транзистор биполярный малой мощности		3	10.80
2N2907	Транзистор биполярный малой мощности	ST MICROELECTRONICS
2N2907	Транзистор биполярный малой мощности	ST MICROELECTRONICS SEMI
2N2907	Транзистор биполярный малой мощности	STMicroelectronics
2N2907	Транзистор биполярный малой мощности	MOTOROLA
LF357N		ST MICROELECTRONICS
LF357N		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LF357N				227.04
LF442CN		ST MICROELECTRONICS
LF442CN		NS
LF442CN		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LF442CN				63.80
LF442CN		NSC
LF442CN		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LF442CN		NATIONAL SEMIC
LF442CN		TEXAS INSTRUMENTS
LM308H	Прецизионный операционный усилитель	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM308H	Прецизионный операционный усилитель			480.00
LM308H	Прецизионный операционный усилитель	NSC	4	489.60
P2N2222ARL1G	Транзистор NPN (Uce=40V, Ic=600mA, P=625mW, B=100-300@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
P2N2222ARL1G	Транзистор NPN (Uce=40V, Ic=600mA, P=625mW, B=100-300@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C)	ONS
P2N2222ARL1G	Транзистор NPN (Uce=40V, Ic=600mA, P=625mW, B=100-300@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C)			18.00