IRFH5306TR2


Купить IRFH5306TR2 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRFH5306TR2
Версия для печати

Технические характеристики IRFH5306TR2

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.1 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C15A
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs12nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1125pF @ 15V
Power - Max3.6W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-PQFN, 8-PowerQFN
КорпусPQFN (5x6) Single Die
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    ECAP 100/35V 0811 105C SY Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 35 В   YAGEO Заказ радиодеталей цена радиодетали
    P2804BDG     NIKO Заказ радиодеталей цена радиодетали
    P2804BDG       2 70.40 
    P2804BDG     Заказ радиодеталей цена радиодетали
    P2804BDG     NIKO-SEM Заказ радиодеталей цена радиодетали
    P5504EDG     NIKO Заказ радиодеталей цена радиодетали
    P5504EDG       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    P5504EDG     NIKO-SEM Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход