AT24C512BN-SH SO8

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AT24C04B-PU	EEPROM ser 2,7..5,5V 512x8	ATMEL
AT24C04B-PU	EEPROM ser 2,7..5,5V 512x8			33.20
AT24C04B-PU	EEPROM ser 2,7..5,5V 512x8	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
AT24C04B-PU	EEPROM ser 2,7..5,5V 512x8	NO NAME
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	NXP
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	PHILIPS
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц			4.20
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	KEMET
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	NXP	626
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	PHILIPS	18 448
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	HOTTECH
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	JSCJ	460 151	1.55
KF33BD-TR	СН ``low drop`` (Vout=3.3V, tol=2%, I=0.5A, Udrop=0.4V@0.5A, shutdown, -40 to +125C).	ST MICROELECTRONICS	12	56.68
KF33BD-TR	СН ``low drop`` (Vout=3.3V, tol=2%, I=0.5A, Udrop=0.4V@0.5A, shutdown, -40 to +125C).	STMicroelectronics
KF33BD-TR	СН ``low drop`` (Vout=3.3V, tol=2%, I=0.5A, Udrop=0.4V@0.5A, shutdown, -40 to +125C).	ST MICROELECTRONICS SEMI	278
KF33BD-TR	СН ``low drop`` (Vout=3.3V, tol=2%, I=0.5A, Udrop=0.4V@0.5A, shutdown, -40 to +125C).
LM4861M	ИМС УНЧ 5Вт SO8	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM4861M	ИМС УНЧ 5Вт SO8			78.92
LM4861M	ИМС УНЧ 5Вт SO8	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM4861M	ИМС УНЧ 5Вт SO8	NSC
LM4861M	ИМС УНЧ 5Вт SO8	TEXAS INSTRUMENTS
LM4861M	ИМС УНЧ 5Вт SO8	TEXAS
S-063-4-TGG [SMA-F]		COSMTEC
S-063-4-TGG [SMA-F]