IRF7451

Версия для печати

Технические характеристики IRF7451

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 2.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	41nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	990pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7451 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF7451 datasheet
130.5 Кб