| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
GENERAL SEMI INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
DC COMPONENTS
|
1 288
|
7.08
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
SMK
|
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
|
1
|
8.80
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
GENERAL SEMI INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
DIOTEC
|
2 415
|
7.57
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
TSC
|
|
|
|
|
|
|
74AC00N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 4 х 2
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
74AC00N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 4 х 2
|
|
1
|
9.61
|
|
|
|
|
74AC00N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 4 х 2
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
74AC00N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 4 х 2
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IRFP250NPBF |
|
Полевой транзистор N-Канальный 200V 30A 214W 0,075R
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFP250NPBF |
|
Полевой транзистор N-Канальный 200V 30A 214W 0,075R
|
|
|
|
|
|
|
|
IRFP250NPBF |
|
Полевой транзистор N-Канальный 200V 30A 214W 0,075R
|
INFINEON
|
2 800
|
127.92
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
|
447
|
77.00
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
КРЕМНИЙ
|
266
|
91.80
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
БРЯНСК
|
2 938
|
92.00
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
|
|
|
|
|
|
ЭКР1554ЛА3 |
|
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
ЭКР1554ЛА3 |
|
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
ЭКР1554ЛА3 |
|
|
|
|
57.20
|
|
|
|
|
ЭКР1554ЛА3 |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
ЭКР1554ЛА3 |
|
|
RUS
|
|
|
|
Версия для печати
