|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5355B |
|
Стабилитрон 5Вт 18В SOD27
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5355B |
|
Стабилитрон 5Вт 18В SOD27
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5355B |
|
Стабилитрон 5Вт 18В SOD27
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N5355B |
|
Стабилитрон 5Вт 18В SOD27
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
1N5355B |
|
Стабилитрон 5Вт 18В SOD27
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N5355B |
|
Стабилитрон 5Вт 18В SOD27
|
|
4
|
22.80
|
|
|
|
1N5355B |
|
Стабилитрон 5Вт 18В SOD27
|
Microsemi Commercial Components Group
|
|
|
|
|
|
1N5355B |
|
Стабилитрон 5Вт 18В SOD27
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N5355B |
|
Стабилитрон 5Вт 18В SOD27
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1N5355B |
|
Стабилитрон 5Вт 18В SOD27
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N5355B |
|
Стабилитрон 5Вт 18В SOD27
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N5355B |
|
Стабилитрон 5Вт 18В SOD27
|
MIC
|
2 308
|
13.25
|
|
|
|
1N5355B |
|
Стабилитрон 5Вт 18В SOD27
|
YJ
|
5 232
|
14.00
|
|
|
|
1N5355B |
|
Стабилитрон 5Вт 18В SOD27
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
DC COMPONENTS
|
13 142
|
9.14
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
RFE INTERNATIONAL
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
RF ELECT/RFE INTERNATIONAL
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
RF ELECT./RFE INTERNATIONAL
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
КИТАЙ
|
800
|
12.75
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
YJ
|
2 224
|
7.33
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
|
8 152
|
4.24
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
KINGTRONICS
|
44
|
4.98
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
GOOD-ARK
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MIC
|
23
|
6.59
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5821 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DC COMPONENTS
|
2 468
|
2.51
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
400
|
11.73
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DIOTEC
|
2 970
|
3.19
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
|
22 464
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
26
|
9.69
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
CJ
|
4
|
2.18
|
|
|
|
2SA1015 |
|
Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SA1015 |
|
Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
CHANGJIANG ELECTRONIC TECH
|
|
|
|
|
|
2SA1015 |
|
Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
DC COMPONENTS
|
4 156
|
2.63
|
|
|
|
2SA1015 |
|
Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
|
13 440
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
2SA1015 |
|
Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SA1015 |
|
Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
CHANGJIANG ELECTRONIC TECH CO
|
1 220
|
|
|
|
|
2SA1015 |
|
Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
|
23 640
|
5.60
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
LGE
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
HOTTECH
|
792
|
13.78
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
YJ
|
67 594
|
10.81
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
1
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
SENOCN
|
8
|
6.30
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
SUNTAN
|
3 406
|
9.05
|
|