![]() |
|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.5A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 10.7nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 540pF @ 10V |
Power - Max | 1.25W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TSMT6 |
Корпус | TSMT6 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1SMA5915BT3 | ON SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
|||||
1SMA5915BT3 | ON SEMICONDUCTOR | 5 008 |
![]() |
|||||
![]() |
![]() |
1SMA5915BT3G |
![]() |
ON Semiconductor |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
1SMA5915BT3G |
![]() |
ON SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
1SMA5915BT3G |
![]() |
![]() |
![]() |
|||
W25Q32FVSSIG | WINBOND |
![]() |
![]() |
|||||
W25Q32FVSSIG | 4 | 158.40 | ||||||
W25Q32FVSSIG | WIN |
![]() |
![]() |
|||||
W25Q32FVSSIG | WINBOND | 64 | 78.49 | |||||
W25Q32FVSSIG | 1 |
![]() |
![]() |
![]() | КЕ181 ИСП.4 ЧЕРН. Выключатели применяются в подвижных и неподвижных стационарных установках, в том числе химостойких изделиях и кузнечно-прессовом оборудовании Коммутир... 571.20 руб Купить |
![]() | С2-29-0.125-1.00К 0.25% Резистор аксиальный постоянный тонкопленочный прецизионный, могут быть всеклиматического изолированного и неизолированного типаТехнические характерист... 20.92 руб Купить |
![]() | AT29C020A-70PU Купить |
|
Корзина
|