IXFN24N100
Hiperfettm power mosfets
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HiPerFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390 mOhm @ 12A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 24A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 267nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 8700pF @ 25V |
| Power - Max | 568W |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | SOT-227-4, miniBLOC |
| Корпус | SOT-227B |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IXFN24N100 (MOSFET) HiPerFETTM Power MOSFETs
Производитель:
|
 | L-4060VH/2SRD Два светодиода 1.8мм в одном корпусе для монтажа под прямым углом I.C. совместимый. Черный цвет корпуса повышает констрастность. Широкий угол обзор... Купить |
 | К73-17-400-4700 10% Конденсаторы металлизированные полиэтилентерефталатные могут служить заменой К73-5, К73-11, К73-15, К73-16, К73-2.Напряжение 400ВЕмкость 4700 пФТочнос... 4.32 руб Купить |
 | NSD15-12D5 Dc/dc преобразователь мощностью 15 вт, корпус: pcb 2x1.5 inch Купить |
