IXFN24N100

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IXFN24N100		10 868.00

Версия для печати

Технические характеристики IXFN24N100

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HiPerFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	390 mOhm @ 12A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	24A
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	267nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	8700pF @ 25V
Power - Max	568W
Тип монтажа	Шасси
Корпус (размер)	SOT-227-4, miniBLOC
Корпус	SOT-227B

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFN24N100 (MOSFET)

HiPerFETTM Power MOSFETs

Производитель:
IXYS

IXFN24N100 datasheet
108.3 Кб