IRF6607


Hexfet power mosfets discrete n-channel

Купить IRF6607 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF6607
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IRF6607 (INTERNATIONAL RECTIFIER.) 386 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики IRF6607

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.3 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C27A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs75nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds6930pF @ 15V
Power - Max3.6W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)DirectFET™ Isometric MT
КорпусDIRECTFET™ MT
Other Related DocumentsDirectFET MOSFET 4Ps Checklist
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF6607 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF6607 datasheet
221.9 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход